SSD سامسونگ 990 EVO Plus 1TB؛ سرعت بالا برای سیستمهای مدرن ⚡
SSD سامسونگ 990 EVO Plus 1TB یکی از مدلهای پرسرعت سامسونگ برای کامپیوترهای دسکتاپ و لپتاپهای سازگار با NVMe است. این SSD با فرمفاکتور M.2 2280، رابط PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 و استاندارد NVMe 2.0 طراحی شده و در نسخه 1 ترابایتی میتواند سرعت خواندن ترتیبی تا 7150MB/s و نوشتن ترتیبی تا 6300MB/s ارائه دهد. سامسونگ برای این مدل از حافظه V-NAND TLC، کنترلر داخلی خود شرکت و فناوری HMB استفاده کرده است.
سرعت خواندن و نوشتن فوقالعاده سریع 🚀
یکی از مهمترین ویژگیهای SSD سامسونگ 990 EVO Plus 1TB سرعت بالای انتقال اطلاعات است. سرعت خواندن ترتیبی این مدل تا 7150 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی آن تا 6300 مگابایت بر ثانیه میرسد. این سطح از عملکرد برای اجرای سریع سیستمعامل، نرمافزارهای سنگین، بازیها، پروژههای گرافیکی و انتقال فایلهای حجیم بسیار کاربردی است.
در عملکرد تصادفی نیز نسخه 1 ترابایتی این SSD میتواند تا 850 هزار IOPS در خواندن تصادفی و 1.35 میلیون IOPS در نوشتن تصادفی در QD32 ارائه دهد. البته سرعت واقعی به مادربرد، پردازنده، سیستمعامل، نوع داده و شرایط کاری سیستم وابسته است.
رابط PCIe 4.0 و پشتیبانی از NVMe 2.0
990 EVO Plus از رابط PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 و استاندارد NVMe 2.0 پشتیبانی میکند. بنابراین این SSD تنها به PCIe 4.0 محدود نیست و در پلتفرمهای سازگار با PCIe 5.0 نیز میتواند از مسیر PCIe 5.0 x2 استفاده کند.
سامسونگ همچنین اعلام کرده است که 990 EVO Plus با PCIe 4.0 x4 و PCIe 3.0 x4 سازگاری رو به عقب دارد؛ با این حال برای رسیدن به سرعتهای اعلامشده، استفاده از سیستم سازگار با استاندارد مناسب ضروری است.
حافظه V-NAND TLC و فناوری HMB 💾
سامسونگ در این SSD از Samsung V-NAND TLC استفاده کرده است. در کنار آن، کنترلر اختصاصی Samsung in-house وظیفه مدیریت دادهها و عملیات ذخیرهسازی را بر عهده دارد.
یکی از تفاوتهای مهم این مدل، استفاده از HMB یا Host Memory Buffer به جای DRAM اختصاصی است. در این فناوری بخشی از حافظه سیستم برای کمک به مدیریت کش SSD مورد استفاده قرار میگیرد. بنابراین در مشخصات رسمی، نوع حافظه کش این مدل HMB اعلام شده و SSD دارای DRAM اختصاصی نیست.
فرمفاکتور M.2 2280 و طراحی کمحجم
SSD سامسونگ 990 EVO Plus 1TB با فرمفاکتور استاندارد M.2 2280 تولید شده و برای سیستمهایی طراحی شده است که از حافظههای M.2 NVMe پشتیبانی میکنند. ابعاد رسمی آن حداکثر 80.15 × 22.15 × 2.38 میلیمتر و وزن آن حداکثر حدود 9 گرم اعلام شده است.
این طراحی بدون کابل باعث میشود فضای بسیار کمی داخل سیستم اشغال شود و برای بسیاری از مادربردهای جدید، لپتاپها و سیستمهای کوچک گزینه مناسبی باشد.
دوام و قابلیت اطمینان بالا 🛡️
سامسونگ برای مدل 1 ترابایتی 990 EVO Plus مقدار 600TBW را بهعنوان میزان کل داده قابل نوشتن اعلام کرده است. همچنین MTBF برابر با 1.5 میلیون ساعت، محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد و مقاومت در برابر شوک تا 1500G برای 0.5 میلیثانیه در مشخصات رسمی این SSD درج شده است.
این SSD همچنین از TRIM، S.M.A.R.T و الگوریتم خودکار Garbage Collection پشتیبانی میکند که به مدیریت بهتر فضای ذخیرهسازی و حفظ عملکرد در طول زمان کمک میکنند.
مصرف انرژی بهینه 🔋
با وجود عملکرد بالای 990 EVO Plus، سامسونگ مصرف انرژی مشخصی را برای آن اعلام کرده است. مصرف متوسط سیستم در حالت خواندن حدود 4.3 وات و در حالت نوشتن حدود 4.2 وات است. مصرف در حالت Idle حدود 60 میلیوات و در حالت Device Sleep حدود 5 میلیوات اعلام شده است.
این ویژگی برای لپتاپها و سیستمهایی که مدیریت مصرف انرژی اهمیت دارد، قابل توجه است.
امنیت اطلاعات و نرمافزار Samsung Magician 🔐
990 EVO Plus از AES 256-bit Full Disk Encryption و استانداردهای امنیتی TCG/Opal V2.0 و IEEE1667 پشتیبانی میکند. همچنین نرمافزار Samsung Magician برای مدیریت SSD، بررسی وضعیت سلامت، بهینهسازی و نظارت بر عملکرد آن در دسترس است.
990 EVO Plus 1TB برای چه کاربرانی مناسب است؟
این SSD برای کاربرانی مناسب است که به دنبال سرعت بسیار بالاتر از SSDهای SATA هستند و سیستم آنها از M.2 NVMe پشتیبانی میکند. اجرای سریع سیستمعامل، نرمافزارهای حرفهای، بازیها، کامپایل پروژهها، ویرایش ویدئو، پردازش فایلهای حجیم و استفاده روزمره سنگین از جمله کاربردهای مناسب آن هستند.
البته پیش از خرید باید سازگاری مادربرد یا لپتاپ با M.2 NVMe و PCIe بررسی شود؛ زیرا این مدل یک SSD SATA نیست و برای نصب آن به اسلات M.2 سازگار نیاز دارید.
جمعبندی
SSD سامسونگ 990 EVO Plus 1TB با ظرفیت 1 ترابایت، فرمفاکتور M.2 2280، رابط PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2، استاندارد NVMe 2.0 و سرعت خواندن تا 7150MB/s، گزینهای قدرتمند برای سیستمهای مدرن محسوب میشود. حافظه V-NAND TLC، فناوری HMB، سرعت تصادفی تا 850K/1.35M IOPS، پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T، مقاومت شوک 1500G و دوام 600TBW، مجموعهای از قابلیتهای مهم این مدل هستند.




